Calcula la velocidad de deriva de electrones, movilidad y densidad de corriente en conductores eléctricos.
Determina la velocidad promedio de electrones en un campo eléctrico, esencial para entender la conductividad eléctrica y el comportamiento de semiconductores.
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Valores típicos para cobre a temperatura ambiente, comúnmente usado en cableado eléctrico.
Campo Eléctrico: 1000 V/m
Movilidad: 0.0032 m²/V·s
Carga: 1.602e-19 C
Tiempo de Relajación: 2.5e-14 s
Masa: 9.109e-31 kg
Temperatura: 300 K
Densidad de Portadores: 8.5e28 m⁻³
Silicio intrínseco a temperatura ambiente, material fundamental en electrónica.
Campo Eléctrico: 500 V/m
Movilidad: 0.15 m²/V·s
Carga: 1.602e-19 C
Tiempo de Relajación: 1e-12 s
Masa: 9.109e-31 kg
Temperatura: 300 K
Densidad de Portadores: 1.5e16 m⁻³
Semiconductor de germanio con mayor movilidad que el silicio.
Campo Eléctrico: 800 V/m
Movilidad: 0.39 m²/V·s
Carga: 1.602e-19 C
Tiempo de Relajación: 2e-12 s
Masa: 9.109e-31 kg
Temperatura: 300 K
Densidad de Portadores: 2.4e19 m⁻³
Grafeno con movilidad de electrones extremadamente alta, un material moderno.
Campo Eléctrico: 2000 V/m
Movilidad: 200000 m²/V·s
Carga: 1.602e-19 C
Tiempo de Relajación: 1e-11 s
Masa: 9.109e-31 kg
Temperatura: 300 K
Densidad de Portadores: 1e16 m⁻³